半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗

健明迪檢測提供的半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗,試驗項目 氣候環(huán)境試驗:低氣壓試驗、濕熱試驗、壽命試驗、高溫試驗、耐久性試驗、快速溫度變化試驗、鹽霧試驗、耐潮濕試驗、高溫工作壽命、溫度循環(huán)試驗、高壓蒸煮試驗 ,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗
試驗項目
氣候環(huán)境試驗:低氣壓試驗、濕熱試驗、壽命試驗、高溫試驗、耐久性試驗、快速溫度變化試驗、鹽霧試驗、耐潮濕試驗、高溫工作壽命、溫度循環(huán)試驗、高壓蒸煮試驗
其他環(huán)境試驗:密封試驗、沖擊試驗、振動試驗、強(qiáng)度試驗、耐焊接熱試驗、剪切強(qiáng)度、鍵合強(qiáng)度、易燃性試驗、跌落試驗
試驗背景
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。 在半導(dǎo)體器件的制造、運(yùn)輸、儲存和使用過程中,很容易受到周圍氣候環(huán)境因素的有害影響。
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,特別是航空航天技術(shù)的發(fā)展,各種半導(dǎo)體器件所處的環(huán)境可能更復(fù)雜更嚴(yán)苛。這就要求在開始研發(fā)時就應(yīng)該考慮預(yù)期的環(huán)境因素對半導(dǎo)體器件的影響,并采取相應(yīng)的防護(hù)措施。
半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗是將半導(dǎo)體器件、設(shè)備暴露在自然環(huán)境和人工模擬的環(huán)境中,從而對它們在實際可能遇到的儲存、運(yùn)輸和使用過程中的性能作出評價。 健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗設(shè)備,具備環(huán)境試驗?zāi)芰Γ瑸榘雽?dǎo)體器件、設(shè)備提供專業(yè)的環(huán)境試驗服務(wù)。
半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗機(jī)構(gòu)
健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗設(shè)備,具備環(huán)境試驗?zāi)芰Γ瑸榘雽?dǎo)體器件、設(shè)備提供專業(yè)的環(huán)境試驗服務(wù)。
試驗標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 4937.1-2006 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第1部分:總則
GB/T 4937.2-2006 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓
GB/T 4937.4-2012 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)
EN 60749-5-2003 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第5部分:穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏差壽命試驗
EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第6部分:高溫儲存
GB/T 4937.8 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第8部分:密封
IEC 60749-9:2017 半導(dǎo)體器件-機(jī)械和氣候試驗方法-第9部分:標(biāo)記的持久性
GB/T 4937.10 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第10部分:機(jī)械沖擊
GB/T 4937.11-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法
GB/T 4937.12-2012 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第12部分:掃頻振動
GB/T 4937.13-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第13部分:鹽霧
GB/T 4937.14-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第14部分:引出端強(qiáng)度(引線牢固性)
GB/T 4937.15-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱
GB/T 4937.19-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第19部分:芯片剪切強(qiáng)度
試驗范圍
常見半導(dǎo)體器件主要包括二端子、三端子和四端子器件。
兩端設(shè)備包括:二極管(整流二極管)、耿氏二極管、沖擊二極管、激光二極管、齊納二極管、肖特基二極管、PIN二極管、隧道二極管、發(fā)光二極管 (LED)、光電晶體管、光電管、太陽能電池、瞬態(tài)電壓抑制二極管、VCSEL;
三端設(shè)備包括:、雙極晶體管、場效應(yīng)晶體管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)、單結(jié)晶體管、可控硅整流器、晶閘管、雙向可控硅;
四端設(shè)備包括:光電耦合器(光耦合器)、霍爾效應(yīng)傳感器(磁場傳感器)。
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