電子元器件及設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)：?jiǎn)雾?xiàng)環(huán)境試驗(yàn)有哪些項(xiàng)目

鹽霧試驗(yàn)

1、目的
用于考核材料及其防護(hù)層以及某些產(chǎn)品的抗腐蝕能力

2、鹽霧試驗(yàn)對(duì)電子產(chǎn)品的影響原理
鹽霧對(duì)金屬材料及其鍍層的腐蝕影響比較大，鹽霧落在絕緣材料上能增大絕緣材料的表面導(dǎo)電性。
當(dāng)它滲透到絕緣材料內(nèi)部時(shí)，又增大其體積導(dǎo)電性，同時(shí)腐蝕絕緣材料，產(chǎn)生凹點(diǎn)，降低表面電阻和抗電強(qiáng)度。鹽霧對(duì)金屬腐蝕的原理是基于電化學(xué)腐蝕。
因?yàn)镹acl是強(qiáng)電介質(zhì)，電導(dǎo)很大，又具有較高的活化性能，它能加速電極反應(yīng)，使陽(yáng)極活化。
同時(shí)由于氯離子的直徑比氧原子小，更能穿透金屬晶格，破壞金屬狀態(tài)，加速腐蝕作用

3、鹽霧試驗(yàn)方法
有連續(xù)霧化和間歇霧化兩種。
間歇霧化更接近于實(shí)際工作和儲(chǔ)存條件，能反映腐蝕產(chǎn)物的吸濕性對(duì)腐蝕的作用。
但是這種模擬條件很難保證，因?yàn)楦g膜的不斷溶解更新，也是影響腐蝕連續(xù)性的重要因素。為了獲得穩(wěn)定的試驗(yàn)條件，國(guó)標(biāo)中規(guī)定的是連續(xù)霧化

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太陽(yáng)輻射試驗(yàn)

1、目的
考核電子產(chǎn)品和材料在受到太陽(yáng)輻射條件下產(chǎn)生的熱、機(jī)械、化學(xué)、電等的效應(yīng)及確定其適應(yīng)性

2、太陽(yáng)輻射對(duì)電子產(chǎn)品的影響原理
日輻射熱效應(yīng)可以引起彎曲，不同程度的膨脹、皸裂、褶皺、破裂、軟化、過(guò)熱、黏合、密封熱老化等。
太陽(yáng)輻射、大氣氣體、溫度和濕度變化等綜合作用會(huì)導(dǎo)致大多數(shù)有機(jī)材料“老化”并最終損壞

3、太陽(yáng)輻射試驗(yàn)方法
根據(jù)不同的目的，為評(píng)定熱效應(yīng)，劣化效應(yīng)和光化學(xué)效應(yīng)，有三種試驗(yàn)方法可選擇

低氣壓試驗(yàn)

1、目的
確定電子元器件、設(shè)備在常溫低氣壓條件下儲(chǔ)存、運(yùn)輸和使用過(guò)程的適應(yīng)能力

2、低氣壓環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品的影響原理
低氣壓使抗電強(qiáng)度降低。以空氣為介質(zhì)的電子元器件抗電強(qiáng)度因氣壓不同而不同。氣壓降低，擊穿容易，飛弧、電暈現(xiàn)象增加，滅弧困難，會(huì)使電接點(diǎn)壽命降低。
低氣壓還導(dǎo)致散熱困難。由于氣壓密度小，散熱條件差，使元器件溫度增加。低氣壓還會(huì)使密封墊漏氣或漏水

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，特別是航空航天技術(shù)的發(fā)展，各種產(chǎn)品所處的環(huán)境可能更復(fù)雜更嚴(yán)苛。這就要求在開(kāi)始研發(fā)時(shí)就應(yīng)該考慮預(yù)期的環(huán)境因素對(duì)電子元器件和設(shè)備的影響，并采取相應(yīng)的防護(hù)措施。為此，環(huán)境模擬試驗(yàn)應(yīng)運(yùn)而生。本文帶大家聊聊環(huán)境模擬試驗(yàn)的相關(guān)知識(shí)吧。
環(huán)境試驗(yàn)是將電子元器件、設(shè)備暴露在自然環(huán)境和人工模擬的環(huán)境中，從而對(duì)它們?cè)趯?shí)際可能遇到的儲(chǔ)存、運(yùn)輸和使用過(guò)程中的性能作出評(píng)價(jià)。
單項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)是產(chǎn)品在一定時(shí)間內(nèi)，在一定環(huán)境條件的極端或瞬間狀況下進(jìn)行的各種性能試驗(yàn)。